در اين اختراع، يك مبدل dc-dc ايزوله نشده با بهره‌ي زياد ولتاژ و استرس ولتاژ كم روي نيمه هادي‌ها ارائه گرديد. در طبقه‌ي ورودي مبدل از n واحد سلفي-خازني-ديودي جهت جذب انرژي در بازه‌ي روشن بودن كليد استفاده مي‌شود كه نتيجه‌ي آن بالا رفتن بهره‌ي ولتاژ مبدل مي‌باشد. از طرفي در خروجي مبدل با بهره‌گيري از تكنيك خازن‌هاي هيبريد كليدزني به‌عنوان سلول ضرب‌كننده علاوه بر افزايش ولتاژ خروجي مقدار استرس ولتاژ روي كليد نيز كاهش يافت. در نتيجه با سيكل كاري كمتر دستيابي به بهره ولتاژ مورد نظر امكان پذير خواهد شد. اين امر با افزايش كنترل‌پذيري مبدل، افزايش گستره‌ي عملكرد آن و همچنين كاهش تلفات هدايتي و كليدزني همراه مي‌باشد. آناليز انجام گرفته براي محاسبه‌ي استرس ولتاژ كليد نشان مي‌دهد كه با افزايش تعداد طبقات، استرس ولتاژ روي المان‌ها با مقادير متناظر خود با وجود يك طبقه در ورودي مبدل برابر خواهند بود. از طرفي ديگر ساختار پيشنهادي به علت تقسيم جريان بين طبقات با كاهش تلفات هدايتي نيمه‌هادي همراه مي‌باشد كه سبب افزايش راندمان خواهد شد. جهت بررسي صحت عملكرد مبدل و روابط رياضي ارائه شده، مبدل در نرم افزار PSCAD/EMTDC شبيه سازي و يك نمونه آزمايشگاهي 50 وات طراحي و ساخته شد. نتايج بدست آمده درستي تحليل و عملكرد ساختار را تائيد كردند.